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HCS65R210S是一款650V N通道超級結MOSFET，具有以下特點：
認證：符合RoHS指令、CE、ISO、CCC標準。
制造商：semihow，代理銷售：東莞美瑞電子有限公司，成立于2013年，專注于半導體分立器件的銷售和技術服務。
最大漏極電壓：650V。
額定柵源電壓：±20V。
極低導通電阻（FOM）：RDS(ON) × Qg值非常低，這意味著在導通狀態下具有非常低的能量損耗。
低開關損失：在開關操作時能量損耗較小，提高了能效。
優異的穩定性和均一性：確保長時間穩定工作，且性能一致性良好。
100%的雪崩測試：通過了嚴格的雪崩測試，增強了器件的安全性。
內置ESD二極管：內置的ESD二極管可以有效保護電路免受靜電放電的影響。
HCS65R210S因其出色的性能，被廣泛應用于以下領域：
LED驅動電源
醫療電源
HCS65R210S是一款650V N通道超級結MOSFET，具有以下特點：
認證：符合RoHS指令、CE、ISO、CCC標準。
制造商：semihow，代理銷售：東莞美瑞電子有限公司，成立于2013年，專注于半導體分立器件的銷售和技術服務。
最大漏極電壓：650V。
額定柵源電壓：±20V。
極低導通電阻（FOM）：RDS(ON) × Qg值非常低，這意味著在導通狀態下具有非常低的能量損耗。
低開關損失：在開關操作時能量損耗較小，提高了能效。
優異的穩定性和均一性：確保長時間穩定工作，且性能一致性良好。
100%的雪崩測試：通過了嚴格的雪崩測試，增強了器件的安全性。
內置ESD二極管：內置的ESD二極管可以有效保護電路免受靜電放電的影響。
HCS65R210S因其出色的性能，被廣泛應用于以下領域：
LED驅動電源
醫療電源
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網址：www.mdjes.cn
總部地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技園5棟3樓
經營產品：碳化硅器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS管
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